RTP-100快速退火爐

技術(shù)規(guī)格：
- 溫度：1200攝氏度；
- 升溫速率：150攝氏度/秒；
- 降溫速度：200攝氏度/分鐘 (1000攝氏度-->400攝氏度)；
- 溫控均勻性：≤ 1.5%設(shè)定溫度；
- 加熱方式：紅外鹵素?zé)?，頂部及底部加熱?/span>
- 燈管數(shù)量及功率：18支/20千瓦；
- 腔體冷卻：水冷方式；
- 襯底冷卻：氮?dú)獯祾撸?/span>
- 工藝氣路：MFC控制，多4路 (氮?dú)?、氬氣、氧氣、氫氮混合氣?；
- 主機(jī)尺寸及重量：505mm x 504mm x 420mm (W x D x H)，約55Kg；
 RTP-100快速退火爐
儀器特點(diǎn)：
- 真空快速退火爐，有低真空型號(10-3 hPa)、高真空型號(10-6 hPa)；
- 可在不同氣氛環(huán)境下使用，如惰性氣體、氧氣、氫氮混合氣等；
- 控制方式：SIMATIC, SPS人機(jī)界面控制，7英寸觸摸屏；
- 可存儲50個(gè)程序，每個(gè)程序多分為50段控制；
- 全自動智能控制，包括溫度、時(shí)間、氣體流量、真空度、循環(huán)水均可自動設(shè)置；
- 優(yōu)異的溫控均勻性，的工藝重現(xiàn)性；
- 臺式設(shè)計(jì)；
 
應(yīng)用領(lǐng)域：
- 離子注入/接觸退火；
- 快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)；
- 可在真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等不同環(huán)境下使用；
- SiAu, SiAl, SiMo合金化；
- 低介電材料；
- 晶體化，致密化；
- 太陽能電池片鍵合；
等等...